风声1923 发表于 2022-5-27 23:10:42

以常用的增强型N沟道Mos为例,是通过在栅极和衬底之间加一个电压,产生电场去吸引衬底里的电子,让电子富集到一定程度形成导电沟道,让源极和漏极导通。

MOS和BJT的重要区别有:
一是用电压控制导通程度(可以把Mos看成是一个阻值受电压控制的电阻),而且栅极输入阻抗也非常大,基本不消耗电流。

二是Mos是由沟道导电,不经过PN节,这就延伸出Mos的电流双向流动特性,因为源极和漏极的结构是一样的,漏极源极完全可以互换,只要保证栅极和衬底之间一定的偏置电压,导电沟道能维持,电流正反都能流动。

前几天还看到一个电源切换的电路,就是利用了Mos这个电流双向流动的特性,一哥们没搞清楚还说电路有问题。

另外同样由于导电通道不一样,Datasheet上的参数,Mos标的是通态电阻,BJT标的则是通态压降,这些是计算热损耗的重要参数。
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